静电卡盘介绍

时间：2024-08-20

静电卡盘具有在真空气氛中正常使用的功能，在高真空等离子体或特气环境中起到对晶圆的夹持和温度控制的作用，辅助半导体制程设备实现对晶圆特定区域的电性特征和物理形态的改变，使之呈现特定的功能，且通过其他一系列复杂苛刻的工艺将晶圆最终变成复杂的集成电路结构。静电卡盘和静电卡盘加热器广泛应用于半导体核心制程中，是离子注入、刻蚀、气相沉积等关键制程的核心零部件之一。

随着半导体及集成电路制程设备和制程工艺的发展，传统的以有机高分子材料、金属氧化物、陶瓷材料为电介质的静电卡盘并不能完全兼容诸如硅晶圆、蓝宝石、碳化硅等材料的夹持；因此，具有兼容第一代、第二代、第三代半导体晶圆夹持的静电卡盘ESC将逐渐发展起来。

聚合物静电卡盘 / 加热器

聚合物电介质材料(（Polymer）是目前运用最广泛的静电卡盘材料，其制备工艺也最为成熟，聚合物电介质材料经过高分子改性处理后，电气、机械、耐温、耐卤素等性能将得到大幅度提高。电介质材料经其它一体化作业实现图案化，再经多级真空重载层压，内部电极之间结构形成致密的电介质绝缘层。

陶瓷静电卡盘 / 加热器

陶瓷混凝技术是在氧化铝/氮化铝陶瓷静电卡盘和加热器研发过程中改良的烧结工艺，其核心是使用多种纳米级直径的陶瓷粉末，以一定的比例通过独特搅拌设备和搅拌流程混合，在经喷雾造粒，在烧结设备中以一定的烧结温度曲线烧结成致密性高、晶体结构稳定、体电阻率分布均匀的陶瓷静电卡盘。使用陶瓷混凝技术制造的静电卡盘具有致密性高、晶体结构稳定、体电阻率分布均匀，能够实现在高真空、等离子、卤素等苛刻环境正常发挥对晶片的夹持功能。

氧化铝静电卡盘

通过混凝陶瓷技术和共烧工艺控制体积电阻率，获得更持久的夹持力。

高温烧结内部结构致密性高、晶体结构稳定，可以获得更大温度区间的夹持力。

一体化共烧成型，降低离子迁移。

在等离子卤素真空气氛环境下能持久运行。

氮化铝静电卡盘

通过控制混凝材料的成份和配比，实现体积电阻率的微量控制，获得更大温度区间的夹持力。

通过混凝陶瓷烧结技术及共烧工艺保障均匀温区分布。

一体化共烧成型，最大限度保障产品质量。

在等离子卤素真空气氛环境下能持久运行。

复合型静电卡盘 / 加热器

复合型静电卡盘（Complex Type Electrostatic Chuck）/加热器（Heater）可兼容硅、砷化镓、碳化硅、蓝宝石等类型晶片的夹持，可以降低设备制造商和终端使用者的换线成本。基于混凝陶瓷技术和高分子改性技术，使用一体化真空层压和热键和技术，可降低静电吸盘内部热阻，实现内部温度均匀性，形成致密的电介质绝缘层提高耐离子迁移性能。

无锡方克斯公司逐步涉及半导体核心零部件国产化替代，重点是静电卡盘（ESC）国产化设计。我们承诺全心全意为半导体生产厂家提供专业、独特、满意的服务。

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