时间：2024-11-02
芯片的生产制造过程包括芯片设计、光刻制版、晶圆制造、特性测试、后道封装，成品测试等多个环节，而其中晶圆制造是最为复杂的工序。在晶圆制造的几百步工艺流程中，需要使用到几百台生产设备，主要工艺步骤包括薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入等多项工艺穿插进行。静电卡盘在其中发挥着重要作用。
其具体制造流程（即前道工艺）如下：
❶ 通过离子注入的方式将需要注入的P型/N型元素打入到衬底中，在炉管中高温加热，让离子活化完成阱的制作；
❷ 将晶圆放置在氧化炉中，温度保持在800至1000℃之间，在晶圆表面上形成具有高绝缘性能的二氧化硅（SiO2）膜；
❸ 通过化学气相沉积（CVD）在真空中发生化学反应，将生成的多晶硅沉淀到绝缘层上形成硅层或导电层；
❹ 在栅极表面铺一层光刻胶，也叫光阻；
❺ 将定义好电路图形的掩膜版放在上面，放置在光刻胶膜上，并通过浸没法进行曝光，从而在光刻胶膜上印刻上预期的电路图形；
❻ 用特定溶液洗掉已经活化的光刻胶，在需要保留栅极和 SiO2 层的地方留下光阻；
❼ 开始刻蚀，可通过干法或湿法刻蚀去除多余的栅极和 SiO2 层；刻蚀ESC静电卡盘
❽ 刻蚀完成后，除去光刻胶膜，保留特定位置栅极和 SiO2 层。
刻蚀完成后，只需植入P型/N型元素形成源端和漏端，MOS（即MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管）的雏形就制备出来了。接下来在 MOS 之上反复沉积氧化硅薄膜-曝光-刻蚀的步骤，通过物理气相沉积（PVD）的方式填充金属导体，最后叠加金属层，完成 MOS 的布线。这就是整个半导体的前道工艺流程。
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